導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)定義導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì),化學(xué)工業(yè)中的一種液位測(cè)量?jī)x表。導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)是依據(jù)時(shí)域反射原理為基礎(chǔ)的雷達(dá)液位計(jì)。導(dǎo)波雷達(dá)物位計(jì)只有液位計(jì)處于頂部盲區(qū)和底部盲區(qū)之間時(shí),才能保證罐內(nèi)液位的可靠測(cè)量。 工作原理導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)是依據(jù)時(shí)域反射原理為基礎(chǔ)的雷達(dá)液位計(jì),雷達(dá)液位計(jì)的電磁脈沖以光速沿鋼纜或探棒傳播,當(dāng)遇到被測(cè)介質(zhì)表面時(shí),雷達(dá)液位計(jì)的部分脈沖被反射形成回波并沿相同路徑返回到脈沖發(fā)射裝置,發(fā)射裝置與被測(cè)介質(zhì)表面的距離同脈沖在其間的傳播時(shí)間成正比,經(jīng)計(jì)算得出液位高度。使用范圍導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)應(yīng)用 于水液儲(chǔ)罐、酸堿儲(chǔ)罐、固體顆粒、小型儲(chǔ)油罐。各類導(dǎo)電、非導(dǎo)電介質(zhì)、腐蝕性介質(zhì)。如煤倉(cāng)、油罐、酸罐等??梢詼y(cè)量介電常數(shù)等于1.4的任何介質(zhì),一般用于測(cè)量粘度≤500cst而且不容易產(chǎn)生粘附的介質(zhì)。 使用限制導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)對(duì)于安裝空間有一定的要求,注意介質(zhì)的介電常數(shù) ,并依據(jù)介電常數(shù)的大小 選擇適合的型號(hào)。 精度等級(jí)5mm(國(guó)產(chǎn))、±0.01%FS(國(guó)外) 市場(chǎng)價(jià)格國(guó)產(chǎn)1萬(wàn)多,跟量程、溫度都有關(guān)系導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)優(yōu)點(diǎn)(1)對(duì)波動(dòng)較大介質(zhì)的測(cè)量更穩(wěn)定在罐內(nèi)有攪拌,介質(zhì)波動(dòng)較大的工況下,用底部固定的導(dǎo)波雷達(dá)液位計(jì)比普通雷達(dá)液位計(jì)更為穩(wěn)定,優(yōu)勢(shì)也更為明顯。(2)更適于對(duì)小罐體內(nèi)物料的測(cè)量在測(cè)量小罐體內(nèi)的物位時(shí),由于安裝測(cè)量空間?。ɑ蚬迌?nèi)干擾物較多),一般普...
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由二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的電子技術(shù),如今已經(jīng)非常的成熟。受到其帶動(dòng)及其影響,電子元器件行業(yè)也得到了飛速發(fā)展。 近日,工業(yè)和信息化部對(duì)外發(fā)布《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2021—2023年)》以下簡(jiǎn)稱《行動(dòng)計(jì)劃》,明確提出要面向智能終端、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重點(diǎn)市場(chǎng),推動(dòng)基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)突破,到2023年,推動(dòng)電子元器件銷(xiāo)售總額達(dá)到2.1萬(wàn)億元??梢钥闯觯娮釉骷a(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)逾2萬(wàn)億,國(guó)產(chǎn)替代迎來(lái)了相關(guān)機(jī)遇。 電子元器件知多少? 據(jù)了解,電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無(wú)線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。在智能終端、汽車(chē)電子、5G通信等廣泛領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以多層片式陶瓷電容器為例,每臺(tái)手機(jī)平均使用多層片式陶瓷電容器數(shù)量超過(guò)1千只,每輛新能源汽車(chē)使用量超過(guò)1萬(wàn)只。 由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了第一代集成電路。 此外,對(duì)電子器件來(lái)說(shuō),體積越小,集成度越高;響應(yīng)時(shí)間越短,計(jì)算處理的速度就越快;傳送頻...
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高溫射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)是射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的一種,顧名思義,其主要用于高溫環(huán)境下料位的測(cè)量。那么,高溫射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的原理、特點(diǎn)和應(yīng)用是怎樣的呢?一、高溫射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的原理 高溫型射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)是通過(guò)探頭感知其與儲(chǔ)罐體間電抗(容抗和阻抗)的變化實(shí)現(xiàn)物位測(cè)量和控制的。其內(nèi)部電子單元,由探頭測(cè)量極與空載罐體間的電抗共同構(gòu)成平衡電橋電路并產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定振蕩信號(hào)。 當(dāng)被測(cè)介質(zhì)覆蓋探頭測(cè)量極時(shí),會(huì)引起探頭測(cè)量極與罐體間的電抗變化導(dǎo)致電橋電路不平衡而停止產(chǎn)生振蕩信號(hào),后級(jí)電路檢測(cè)到這一變化從而輸出報(bào)警信號(hào)。 該振蕩信號(hào)作為射頻信號(hào)施加在探頭測(cè)量極的同時(shí),還經(jīng)過(guò)1:1的電壓跟隨器后送往探頭的保護(hù)極,測(cè)量極與保護(hù)極的射頻信號(hào)具有等電位、同相位、同頻率又互相隔離。當(dāng)探頭有掛料時(shí),測(cè)量極與保護(hù)極之間因?yàn)闆](méi)有電勢(shì)差而形成電氣隔離確保保護(hù)極的信號(hào)變化不影響檢測(cè),使探頭測(cè)量極上電抗的變化只能由探頭測(cè)量極與罐體間的物料決定,從而使探頭上的掛料不會(huì)影響正常檢測(cè)。二、高溫射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的特點(diǎn) 1、陶瓷探頭,最高過(guò)程溫度達(dá)450℃。 2、外置LED指示器,通過(guò)旋轉(zhuǎn)表頭實(shí)現(xiàn)LED最佳朝向,方便遠(yuǎn)程觀察?! ?、模塊化設(shè)計(jì),可靠性高,安裝維護(hù)方便?! ?、產(chǎn)品通過(guò)第三方可靠性檢測(cè)認(rèn)證,確保具有極高的可靠性。三、高溫射頻導(dǎo)納料位開(kāi)關(guān)的...
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海洋是生命起源的搖籃,是人類賴以生存的地方,但如今卻正在變成“垃圾場(chǎng)”?! “殡S著全球人口的不斷增多,社會(huì)發(fā)展的不斷加快,近年來(lái)海洋環(huán)境日漸成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的墊腳石。城市中經(jīng)年累月攢存的垃圾被大量丟棄到海洋之中,國(guó)家間爭(zhēng)搶激烈的石油資源被大片泄露到海面之上,無(wú)一不對(duì)海洋環(huán)境和海洋生物帶來(lái)嚴(yán)重危害?! ?jù)了解,全球每年向海洋排放的垃圾達(dá)到了千萬(wàn)噸以上,其中塑料垃圾占據(jù)了80%。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,差不多每一分鐘就會(huì)有一卡車(chē)重量的塑料垃圾扔進(jìn)海洋,每年有超800萬(wàn)噸的塑料被遺棄在海洋之中,它們加起來(lái)可以繞地球400多圈?! ⊥瑫r(shí)根據(jù)有關(guān)研究顯示,全球海洋中至少漂浮著5億萬(wàn)多個(gè)塑料碎片,總質(zhì)量超過(guò)26萬(wàn)噸。大部分塑料在海洋中被打碎、分解為直徑不超過(guò)5毫米的顆粒,深度融進(jìn)海洋的每一寸“肌膚”,最深可侵入萬(wàn)米海底。垃圾污染日漸成為海洋“癌性病”?! 〗?,根據(jù)發(fā)表在《環(huán)境污染》(Environmental Pollution)雜志上的一項(xiàng)研究,巴塞羅那大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)了一種基于深度學(xué)習(xí)技術(shù)設(shè)計(jì)的算法的開(kāi)放訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序——MARLIT,檢測(cè)和量化海洋中的漂浮塑料的可靠性超過(guò)80%。 為了監(jiān)測(cè)海洋漂浮的塑料污染物,研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種新的算法,通過(guò)應(yīng)用深度學(xué)習(xí)技術(shù),通過(guò)航拍照片自動(dòng)量化海洋中的漂浮塑料。深度學(xué)習(xí)技術(shù)是一種自動(dòng)學(xué)習(xí)方法,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能夠?qū)W習(xí)并將學(xué)習(xí)提升到更高水平?! ∵@種方法是通過(guò)...
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隨著生產(chǎn)的發(fā)展和自動(dòng)化要求的提高,為解決在物料儲(chǔ)藏和運(yùn)輸過(guò)程中可靠、準(zhǔn)確進(jìn)行物位測(cè)量的問(wèn)題,各種物位測(cè)量?jī)x表不斷涌現(xiàn),性能也不斷提升。其中進(jìn)行高、低位檢測(cè)的稱之為料位開(kāi)關(guān),有:音叉式、振動(dòng)棒式、阻旋式、電容式、浮球式。進(jìn)行連續(xù)料位測(cè)量的有:射頻電容式、超聲波式、雷達(dá)式、稱重式、壓力式,這些方法都有各自的適用范圍。一般根據(jù)不同工況環(huán)境(如粉塵、高溫、高壓、易爆、腐蝕性環(huán)境等等)及物位檢測(cè)方法的適用性來(lái)作為選用的依據(jù)。本文就幾種常見(jiàn)物位測(cè)量?jī)x表的原理及適用性進(jìn)行介紹,希望對(duì)用戶有所幫助。一、振棒料位開(kāi)關(guān)振棒料位開(kāi)關(guān)的振動(dòng)棒是一個(gè)電子線路進(jìn)行激勵(lì)并保持共振,當(dāng)被測(cè)介質(zhì)到達(dá)并部分覆蓋住振棒開(kāi)關(guān)的探頭時(shí),振棒開(kāi)關(guān)的振動(dòng)阻尼突然增強(qiáng),這種振動(dòng)參數(shù)的改變將通過(guò)檢測(cè)回路觸發(fā)繼電器,從而為物位控制提供了上、下限開(kāi)關(guān)信號(hào)。目前,振棒料位開(kāi)關(guān)分單棒料位開(kāi)關(guān)和雙棒振棒料位開(kāi)關(guān)兩種,相比單棒料位開(kāi)關(guān),雙棒振棒料位開(kāi)關(guān)的靈敏度更好,檢測(cè)更可靠。振棒料位開(kāi)關(guān)是國(guó)內(nèi)首款雙管設(shè)計(jì)的棒狀料位開(kāi)關(guān),其振動(dòng)探頭采用獨(dú)特的內(nèi)外嵌套設(shè)置的雙管設(shè)計(jì),產(chǎn)品采用壓電器件實(shí)現(xiàn)振動(dòng)的驅(qū)動(dòng)與檢測(cè),使內(nèi)外管在完全一致的諧振頻率下產(chǎn)生共鳴。當(dāng)振動(dòng)棒與被測(cè)物料接觸時(shí),接觸物料的外管諧振頻率發(fā)生變化,從而破壞內(nèi)外管的共鳴條件,產(chǎn)生信號(hào)變化進(jìn)而輸出開(kāi)關(guān)信號(hào)。二、阻旋式料位開(kāi)關(guān) 利用傳動(dòng)軸與離合器相連接,在未接觸物料時(shí),馬達(dá)保持正常運(yùn)轉(zhuǎn),當(dāng)葉片感...
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存儲(chǔ)芯片是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng),全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù),且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。受全球市場(chǎng)寡頭壟斷格局影響,中國(guó)企業(yè)的議價(jià)能力極低,我國(guó)芯片發(fā)展受限。但近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕,已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國(guó)外原廠的差距,其中,兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三,聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3DNAND存儲(chǔ)芯片,直接跳過(guò)96層,加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。 值得注意的是,兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT),意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力,扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色?! ∈袌?chǎng)集中度高,由三星、SK海力士、美光主導(dǎo) 全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)集中度高,呈寡頭壟斷格局,由三星、SK海力士、美光主導(dǎo)。在細(xì)分領(lǐng)域,全球DRAM市場(chǎng)仍由三大巨頭主導(dǎo),全球NAND Flash半數(shù)市場(chǎng)份額由三星和鎧俠占據(jù);在NOR Flash全球市場(chǎng)中,我國(guó)企業(yè)兆易創(chuàng)新位列前三。前瞻匯總TrendForce發(fā)布的2020年前三季度各大廠商存儲(chǔ)芯片營(yíng)收數(shù)據(jù)得出,韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三大廠商共占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額的76%。其中,三星占據(jù)市場(chǎng)份額最大,達(dá)38%,得益于存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的高速增長(zhǎng),三星超越了英特爾,成為全球第一大半導(dǎo)體廠商。位列二三名的海力士和美光分別占市場(chǎng)的21%和17%。注:1)由于DRAM和NAND Fla...
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